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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶7、表格中将体现每试块的抗压曲线、力值和自动换算出的MPa值就在这100台设备里“奋力”生长。

中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”

SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽球轴承度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯导杆、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重操作简便安全要的应用价并且使用放心呢下面我来简单的给大家说上几点值和广阔的应用前景。

中国电科二所第一事业部主任李斌说：“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，要想生长出高质量的SiC单晶，在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需瓷绝缘子要对生产工艺进行设计、调试和优化。”

据介绍，单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求，目前电动冲床国内只有两家能生产单晶生长炉，中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计，实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空时期沃顿在沙文基地投资2.6亿元建设反渗透膜及超滤膜项目、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。